W29N01HVSINAのフラッシュ・メモリは高性能の信頼できる貯蔵の解決を欠く
型式番号:W29N01HVSINA
原産地:元
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
受渡し時間:1～3日
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Shenzhen China
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1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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内 38 時間
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W29N01HVSINAのフラッシュ・メモリは高性能の信頼できる貯蔵の解決を欠く
W29N01HVSINAのフラッシュ・メモリの破片
製品の説明:
W29N01HVSINAのフラッシュ・メモリの破片は広い応用範囲のために設計されている高速、高容量、不揮発性メモリの破片である。これらの破片は収蔵可能量の1Mbを特色にし、ローパワー、低電圧、小さい形式要素と設計されている。W29N01HVSINAのフラッシュ・メモリの破片はスマート
カード、医療機器および埋め込まれたシステムを含むいろいろな適用にとって理想的である。
プロダクト変数:容量:1Mb
電圧:3.3V
実用温度:-40°Cへの+85°C
インターフェイス:SPI
パッケージのタイプ:SOIC-8
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W29N01HVSINAのフラッシュ・メモリは高性能の信頼できる貯蔵の解決を欠く
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