プロダクト タイトル:MX25L512EMI-10Gのフラッシュ・メモリは-高容量、高速高速記憶装置を欠く

型式番号:MX25L512EMI-10G
原産地:Mult起源
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
受渡し時間:1-7days
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Shenzhen China
住所: 1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
サプライヤーの最後のログイン時間: 内 38 時間
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MX25L512EMI-10Gのフラッシュ・メモリの破片

指定:

- 記録密度:512Mb
- 電圧供給:2.7V-3.6V
- インターフェイス:SPI
- データ転送率を:10MHz
- 実用温度:-40°Cへの+85°C
- 持久力:100Kは/周期を書くために消す
- 持久力:保持10年のデータ

 

 

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プロダクト タイトル:MX25L512EMI-10Gのフラッシュ・メモリは-高容量、高速高速記憶装置を欠く

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