フラッシュ・メモリの破片EPCS128SI16Nの高い収蔵可能量 速いデータ転送
型式番号:EPCS128SI16N
原産地:元
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
受渡し時間:1-3日
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Shenzhen China
住所：
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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内 38 時間
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フラッシュ・メモリの破片EPCS 128SI16Nの高い収蔵可能量の速いデータ転送
プロダクト リスト:
EPCS128SI16Nのフラッシュ・メモリの破片
記述:
EPCS128SI16Nのフラッシュ・メモリの破片は高性能の、高密度不揮発性メモリの破片である。これらの破片はデータへの速い、信頼できるデータ記憶そして容易なアクセスを提供する。EPCS128SI16Nのフラッシュ・メモリの破片は16Mbitsのデータ記憶容量を提供し、最高/10,000の消去周期は書く。
変数:
•容量:16Mbits
•実用温度範囲:0 - 70C
•数の/消去周期は書く:10,000
•アクセス時間:70ns
•作動の電圧:2.7V - 3.6V
•パッケージのタイプ:SOIC-8
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