高性能EPC2LI20Nのフラッシュ・メモリは速い信頼できるおよび密集した欠く
型式番号:EPC2LI20N
原産地:元
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
受渡し時間:1-3日
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Shenzhen China
住所：
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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内 38 時間
製品詳細
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高性能EPC2LI20Nのフラッシュ・メモリは速い信頼できるおよび密集した欠く
製品の説明:
EPC2LI20Nのフラッシュ・メモリの破片は埋め込まれた記憶適用のための高性能の、ローパワー解決である。これらの破片は2 Mbit容量を特色にし、小さいスペースで多量のデータを貯えることをそれらが可能にする。彼らはまた低電圧操作のために設計され、それらを電池式装置にとって理想的にさせる。
製品仕様書:
容量:2 Mbit
電圧:2.7V-3.6V
構成:512k X 4
インターフェイス:3-wire SPI
パッケージ:SOP-8
温度較差:-40°Cへの+85°C
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