高度のデータ記憶のためのMX25U6435FM2I-10Gの高容量のフラッシュ・メモリの破片
型式番号:MX25U6435FM2I-10G
原産地:原物
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
受渡し時間:1 - 3日
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1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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高度のデータ記憶のためのMX25U6435FM2I-10Gの高容量のフラッシュ・メモリの破片
MX25U6435 FM2I-10Gのフラッシュ・メモリの破片
このMX25U6435FM2I-10Gのフラッシュ・メモリの破片は埋め込まれたシステム、コンピュータおよび消費者電子デバイスの使用のために設計されている不揮発性メモリの破片である。それは108MB/sまでの速いデータ転送率および8Gbitsの総合容量を特色にする。破片は強く、信頼できる、エネルギー効率が良いように設計されそれに信頼できるデータ記憶を要求する適用のための大きい選択をする。
主要特点:
•108までMB/sの速いデータ転送率
•8Gbitsの総合容量
•強く、信頼できる、エネルギー効率が良い設計
•Utilizes低い電力の消費のためのCMOSの加工技術を進めた
•広実用温度の範囲+85°Cへの-40 °C
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高度のデータ記憶のためのMX25U6435FM2I-10Gの高容量のフラッシュ・メモリの破片
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