MX25L6435EZNI-10Gのフラッシュ・メモリは低い電力の高性能の貯蔵の解決を欠く
型式番号:MX25L6435EZNI-10G
原産地:元
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
受渡し時間:1 - 3日
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Shenzhen China
住所：
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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内 38 時間
製品詳細
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MX25L6435 EZNI-10Gのフラッシュ・メモリは低い電力の高性能の貯蔵の解決を欠く
製品の説明:
MX25L6435EZNI-10Gは高性能の10ギガビット
インターフェイスが付いている64Mbit連続フラッシュ・メモリの破片である。この破片は4Kバイトの小区域、セクターの保護および32ビット読取り書込み保護を含む特徴の広い範囲を、提供する。この破片は高速操作、高信頼性および低い電力の消費を提供する。
プロダクト変数:
-インターフェイス:10G
-容量:64Mbit
-電圧:2.7-3.6V
-アクセス時間:読書– 75MHz/書きなさい– 25MHz
-実用温度範囲:-40°C~+85°C
-小区域のサイズ:4KByte
-セクターの保護:64バイトのセクターの保護
-読書は/保護を書く:32ビット
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MX25L6435EZNI-10Gのフラッシュ・メモリは低い電力の高性能の貯蔵の解決を欠く
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