W29N02KVSIAFの高性能のデータ記憶のための高速フラッシュ・メモリの破片
型式番号:W29N02KVSIAF
原産地:元
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
受渡し時間:1 - 3日
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Shenzhen China
住所：
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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内 38 時間
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W29N02KVSIAFの高性能のデータ記憶のための高速フラッシュ・メモリの破片
プロダクト リスト:W29N02KVSIAFのフラッシュ・メモリの破片
記述:
これらのW29N02KVSIAFのフラッシュ・メモリの破片は高性能の持久記憶装置を提供し、いろいろな適用で使用することができる。それらは40MHzの速度を書くために16MB容量、2.7V電圧評価を、および最高特色にする。
変数:
- 容量:16MB
- 電圧評価:2.7V
- 最高は速度を書く:40MHz
- 実用温度:-40 85 °Cへの°C
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W29N02KVSIAFの高性能のデータ記憶のための高速フラッシュ・メモリの破片
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