高性能の貯蔵のためのフラッシュ・メモリの破片MX25L4006EM2I-12G
型式番号:MX25L4006EM2I-12G
原産地:原物
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
受渡し時間:1 - 3日
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Shenzhen China
住所：
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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内 38 時間
製品詳細
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高性能の貯蔵のためのフラッシュ・メモリの破片MX25L4006EM2I-12G
製品の説明:
MX25L4006EM2I-12Gのフラッシュ・メモリの破片は、高性能の不揮発性メモリ進む。、低い電力操作は高速のために設計されていて、これらのメモリー
チップ埋め込まれたシステム、携帯電話、デジタル カメラおよび他の携帯機器のような適用にとって理想的である。
プロダクト変数:
- 記録密度:4Mb
- 構成:512K X 8
- 電圧供給:3.6Vへの2.7
- 読まれた現在:5mA （最高）
- 現在を書きなさい:15mA （最高）
- 消去の流れ:25mA （最高）
- 持久力:100K周期
- データ保持:10年
- 実用温度:-40°Cへの+85°C
- パッケージのタイプ:SOIC-8
- インターフェイスの種類:SPI
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高性能の貯蔵のためのフラッシュ・メモリの破片MX25L4006EM2I-12G
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