FM25V10-GTR ICの破片の非揮発性メモリの高性能のデータ記憶
型式番号:FM25V10-GTR
原産地:元
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
受渡し時間:1-3日
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Shenzhen China
住所：
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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内 38 時間
製品詳細
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製品詳細
FM25V10-高性能のデータ記憶のためのGTR集積回路ICの破片の不揮発性メモリ
製品名:FM25V10-GTRの集積回路ICの破片
製品の説明:
FM25V10-GTRの集積回路ICの破片は不揮発性ferroelectric RAMメモリ（F-RAM）装置である。それはそれにデータ記憶および管理を要求する適用のための理想的な選択をする高性能、低い電力の消費および高い持久力の独特な組合せを特色にする。
特徴:
- 高性能
- 低い電力の消費
- 高い持久力
- 不揮発性ferroelectric RAMメモリ
- 速くサイクル時間を書きなさい
- 速いデータ・アクセスの時間
- 低い動作電流
- 低い作動の電圧
- 低い電力の消費
- 高い持久力
- 低電圧書き、読むため
- 適用範囲が広い住所およびデータ・バス
パッケージのタイプ:SOIC-8
作動の電圧:1.7Vへの3.6V
実用温度:-40°Cへの+85°C
保管温度:-55°Cへの+125°C
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FM25V10-GTR ICの破片の非揮発性メモリの高性能のデータ記憶
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