S29GL128P11FFI010 ICの破片の高性能コンピューティングのデータ記憶128Mbit

プロダクトリスト:

製品の説明:

S29GL128P11FFI010は128Mb （16Mx8） CMOS 3.0のボルトだけブートブロックのフラッシュ・メモリである。

Cypress S29GL128P11FFI010、S29GL01G/512/256/128Pは抜け目がないプロダクトが90 nmの加工技術で製造したMirrorbit®である。これらの装置は90 ns対応するランダム・アクセス時間との25 nsの速いページのアクセス時間を速く提供する。それらは標準的なプログラミングのアルゴリズムより速く有効なプログラミングの時間に終って書く最大32のwords/64バイトが1つの操作でプログラムされるようにする緩衝を特色にする。これはこれらの装置を高密度、よりよい性能および低い電力の消費を要求する今日の埋め込まれた適用にとって理想的にさせる。

変数:

•VCC供給電圧:2.7Vへの3.6V
•読み取りアクセスの時間:55 ns
•プログラム時間:1.5氏（典型的な）
•持久力:100K周期
•データ保持:20年
•実用温度範囲:-40°Cへの+85°C

•SKLは電子部品の標準的な看守そして貿易会社である。私達の営業所は中国、香港、Sigapore、カナダを含んでいる。私達の全体的なメンバーのための提供ビジネス、サービス、resourcingおよび情報。
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•私達は全体的なバイヤーへの提供の速く、便利で安全な交通機関サービスに託される。

記憶フォーマット	フラッシュ
技術	フラッシュ-
記憶容量	128Mbit
記憶構成	16M x 8
記憶インターフェイス	平行
周期にタイムの単語、ページを書きなさい	110ns
アクセス時間	110 ns
電圧-供給	2.7V \| 3.6V
実用温度	-40°C \| 85°C （TA）
タイプの取付け	表面の台紙
パッケージ/場合	64-LBGA
製造者装置パッケージ	64-FBGA （13x11）
基礎プロダクト数	S29GL128