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Cy14B116L-ZS 25XI ICの破片-複雑な計算の適用のための高性能の低い電力の消費
プロダクト リスト:
CY14B116L-ZS25XIの集積回路ICの破片
特徴:
•高速SRAMの建築
•25nsアクセス時間
•5V電源
•25MHz動作周波数
•2.5V入力/出力
•互換性がある3.3V
•512K X 16bits
•1M x 8bits
•包装:44ピンTSOPIIか48ピンLQFP
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