SN65LVDS1DR ICの破片LVDSはIC単一LVDSの送信機630Mbpsをインターフェイスさせる
型式番号:SN65LVDS1DR
原産地:元
最低順序量:1
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供給の能力:999999
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Shenzhen China
住所：
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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内 38 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
SN65LVDS1DRの集積回路IC
破片LVDSはIC単一LVDSの送信機630MbpsのパッケージSOIC-8をインターフェイスさせる
SN65LVDS1DR
| 運転者 | |
| 1人の運転者 | |
| 630 Mb/s | |
| LVTTL | |
| LVDS | |
| 3.6 V | |
| 2.4 V | |
| - 40 C | |
| + 85 C | |
| SMD/SMT | |
| SOIC-8 | |
| 巻き枠 | |
| テープを切りなさい | |
| MouseReel | |
| ブランド: | テキサス・インスツルメント |
| 作動の供給の流れ: | 7 mA |
| 作動の供給電圧: | 3.3 V |
| 製品タイプ: | LVDSインターフェイスIC |
| シリーズ: | SN65LVDS1 |
SN65LVDS1DRの記述
TheSN65LVDS1DR、SN65LVDS1、SN65LVDS2およびSN65LVDT2装置は単一、低電圧の、差動ライン・ドライバおよび小型輪郭のトランジスター
パッケージの受信機である。出力はTIA/EIA-644標準に247 mVの最低の差動出力電圧大きさを運転者に630
Mbpsおよび受信機に400 Mbpsまで率に信号を送ることで100-Ω負荷に提供するために従い。
SN65LVDS1DR装置がLVDSの受信機とポイント ツー ポイント接続で（SN65LVDT2のような）使用されるとき、データか刻時信号は非常に低い電磁石の放出およびパワー消費量との非常に高い比率のプリント回路板跡かケーブルに送信することができる。包装、低い電力、低いEMI、高いESDの許容および広い供給電圧の範囲は電池式の適用のための装置理想を作る。
SN65LVDS1DR、SN65LVDS1、SN65LVDS2およびSN65LVDT2装置は– 40°Cからの85°C.に操作のために特徴付けられる。
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