単一SN74LVC1G332DCKRの集積回路の破片またはゲートIC 1チャネルの論理回路
型式番号:SN74LVC1G332DCKR
原産地:元
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
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確認済みサプライヤー
Shenzhen China
住所：
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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内 38 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
SN74LVC1G332DCKRの集積回路
ICの破片またはゲートIC 1チャネルの論理回路は3入れられたパッケージSC-70-6を選抜する
SN74LVC1G332DCKR
論理のタイプ | ||
回路の数 | 1 | |
入力の数 | 3 | |
特徴 | - | |
電圧-供給 | 1.65V | 5.5V | |
現在-静止（最高） | 10 µA | |
現在-高い出力低い | 32mA、32mA | |
入れられた論理のレベル-低速 | 0.7V | 0.8V | |
高い入れられた論理のレベル- | 1.7V | 2V | |
最高の伝搬遅延@ Vの最高のCL | 4.5ns @ 5V、50pF | |
実用温度 | -40°C | 125°C | |
タイプの取付け | ||
製造者装置パッケージ | ||
パッケージ/場合 | 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 | |
基礎プロダクト数 |
SN74LVC1G332DCKRは特色になる
- テキサス・インスツルメントNanoStarおよびNanoFreeのパッケージで利用できる
- 5-V VCC操作を支える
- 入力は5.5ボルトに電圧を受け入れる
- VCCへの翻訳の下のサポート
- 3.3ボルトの4.5 nsの最高のtpd
- 低い電力の消費、10-µA最高のICC
- ±24 mAは3.3ボルトでドライブを出力した
- Ioffは生きている挿入、部分的力モードおよびバック ドライブ保護を支える
- Latch-Upの性能は100 mAを每の超過する
- JESD 78のクラスII
- ESDの保護はJESD 22を超過する
- 2000-V人間ボディ モデル（A114-A）
- 200-V機械モデル（A115-A）
- 1000-V満た装置モデル（C101）
SN74LVC1G332DCKRの記述
SN74LVC1G332DCKR装置は肯定的な論理でブール関数を行う。
NanoStar™およびNanoFree™のパッケージの技術はパッケージとしてダイスを使用してICの包装の概念の主要な進歩、である。
この装置はIoffを使用して部分的力の適用のために十分に指定される。Ioffの回路部品は動力を与えられるとき防ぐ出力を不具にし現在の逆流を装置を通して損なう。
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単一SN74LVC1G332DCKRの集積回路の破片またはゲートIC 1チャネルの論理回路
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