SN74LVC1G32DCKR ICの破片かゲートは2つの入れられた論理の電圧翻訳論理回路を選抜する
型式番号:SN74LVC1G32DCKR
原産地:元
最低順序量:1
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供給の能力:999999
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Shenzhen China
住所：
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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内 38 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
SN74LVC1G32DCKRの集積回路IC
破片またはゲートの単一の2つの入力論理の電圧翻訳論理回路のパッケージSC-70-5
SN74LVC1G32DCKR
論理のタイプ | ||
回路の数 | 1 | |
入力の数 | 2 | |
特徴 | - | |
電圧-供給 | 1.65V | 5.5V | |
現在-静止（最高） | 10 µA | |
現在-高い出力低い | 32mA、32mA | |
入れられた論理のレベル-低速 | 0.7V | 0.8V | |
高い入れられた論理のレベル- | 1.7V | 2V | |
最高の伝搬遅延@ Vの最高のCL | 4ns @ 5V、50pF | |
実用温度 | -40°C | 125°C | |
タイプの取付け | ||
製造者装置パッケージ | ||
パッケージ/場合 | 5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353 | |
基礎プロダクト数 |
SN74LVC1G32DCKRは特色になる
- Ultra-Small 0.64 mm2で利用できる
- 0.5 mmピッチが付いているパッケージ（DPW）
- 5-V VCC操作を支える
- 入力は5.5-Vに電圧を受け入れる
- VCCへの翻訳の下のサポート
- 3.3-Vの3.6 nsの最高のtpd
- 低い電力の消費、10-µA最高のICC
- ±24 mAは3.3-Vでドライブを出力した
- Ioffは生きている挿入、部分的力を支える
- モードおよびバック ドライブ保護
- Latch-Upの性能は100 mAを每の超過する
- JESD 78のクラスII
SN74LVC1G32DCKRの記述
この単一の2入力肯定的またはゲートは5.5-V VCC操作への1.65-Vのために設計されている。
SN74LVC1G32DCKR装置は肯定的な論理でブール関数をY = A + BまたはY = A + B行う。
CMOS装置は広いVCC動作範囲上の低く静的な電力損失を維持している間高出力ドライブを備えている。
SN74LVC1G32DCKR装置は0.8の×のサイズのultra-small DPWのパッケージを含むいろいろなパッケージで利用できる、0.8 mm。
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