SN74LVC1G86DCKRの集積回路の破片は2入れられた1.65V XORの独占記事かゲートを選抜する
型式番号:SN74LVC1G86DCKR
原産地:元
最低順序量:1
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Shenzhen China
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1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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製品詳細
会社概要
製品詳細
SN74LVC1G86DCKRの集積回路
ICは5.5V XORの独占記事かゲートのパッケージSC-70-5に単一の2入れられた1.65Vを欠く
SN74LVC1G86DCKR
論理のタイプ | ||
回路の数 | 1 | |
入力の数 | 2 | |
特徴 | - | |
電圧-供給 | 1.65V | 5.5V | |
現在-静止（最高） | 10 µA | |
現在-高い出力低い | 32mA、32mA | |
入れられた論理のレベル-低速 | 0.7V | 0.8V | |
高い入れられた論理のレベル- | 1.7V | 2V | |
最高の伝搬遅延@ Vの最高のCL | 4ns @ 5V、50pF | |
実用温度 | -40°C | 125°C | |
タイプの取付け | ||
製造者装置パッケージ | ||
パッケージ/場合 | 5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353 | |
基礎プロダクト数 |
SN74LVC1G86DCKRの記述
SN74LVC1G86DCKR装置は肯定的な論理でブール関数をY = AB + AB行う。この単一の2入力排他的またはゲートは5.5-V
VCC操作への1.65-Vのために設計されている。
入力が低ければ、他の入力は出力の本当の形態で再生される。入力が高ければ、他の入力の信号は出力で逆にされて再生される。この装置は3.3ボルトおよび15
pF容量性負荷で4 nsの最高のtpdが付いている低い電力の消費を備えている。最大出力ドライブは4.5ボルトに±32 mAおよび3.3
V.に±24 mAである。
このSN74LVC1G86DCKR装置はIoffを使用して部分的力の適用のために十分に指定される。Ioffの回路部品は動力を与えられるとき防ぐ出力を不具にし装置を通る現在の背部流れを損なう。
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SN74LVC1G86DCKRの集積回路の破片は2入れられた1.65V XORの独占記事かゲートを選抜する
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