SN65LBC184DR ICの破片の集積回路のトランシーバーは一時的な電圧抑制を統合した
型式番号:SN65LBC184DR
原産地:元
最低順序量:1
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Shenzhen China
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1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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内 38 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
SN65LBC184DRの集積回路IC
破片のトランシーバーは一時的な電圧抑制のパッケージSOIC-8を統合した
SN65LBC184DR
| SMD/SMT | |
| SOIC-8 | |
| SN65LBC184 | |
| トランシーバー | |
| 250 kb/s | |
| 1人の運転者 | |
| 1台の受信機 | |
| 半二重 | |
| 5.25 V | |
| 4.75 V | |
| 25 mA | |
| - 40 C | |
| + 85 C | |
| 30のkV | |
| 巻き枠 | |
| テープを切りなさい | |
| MouseReel | |
| ブランド: | テキサス・インスツルメント |
| 作動の供給電圧: | 5ボルト |
| プロダクト: | RS-485トランシーバー |
| 製品タイプ: | RS-485インターフェイスIC |
SN65LBC184DRの記述
SN65LBC184DR、SN75LBC184およびSN65LBC184装置は高エネルギー騒音のトランジェントに対して作り付けの保護のSN75176の貿易標準的な足跡の差動データ
ライン トランシーバーである。この特徴はよりよい免除がほとんどの既存の装置上のデータ
ケーブルにつながれたトランジェントを言い触らすことができるように信頼性の相当な増加を提供する。これらの回路の使用は外的な部品を要求しないで信頼できる低価格の直接つながれた（分離の変圧器無しで）データ
ライン インターフェイスを提供する。
SN65LBC184DR、SN75LBC184およびSN65LBC184は400-Wピークの過電圧のトランジェントにできる（典型的な）抗。IEC 61000-4-5で出動する慣習的な組合せの波は過電圧のトランジェントを模倣し、切換えおよび二次電光トランジェントからの過電圧によって引き起こされる単方向サージを模倣する。
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SN65LBC184DR ICの破片の集積回路のトランシーバーは一時的な電圧抑制を統合した
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