SN65HVD75DRの集積回路の破片3Vの半二重トランシーバーIEC ESD 20Mbps
型式番号:SN65HVD75DR
原産地:元
最低順序量:1
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供給の能力:999999
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Shenzhen China
住所：
1702のDingchengの国際的な建物、Zhonghangの道、福田区、シンセン
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内 38 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
SN65HVD75DRの集積回路
ICの破片3Vの半二重トランシーバーIEC ESD 20MbpsのパッケージSOIC-8
SN65HVD75DR
| SMD/SMT | |
| SOIC-8 | |
| SN65HVD75 | |
| トランシーバー | |
| 20 Mb/s | |
| 1人の運転者 | |
| 1台の受信機 | |
| 半二重 | |
| 3.6 V | |
| 3ボルト | |
| 950のuA | |
| - 40 C | |
| + 125 C | |
| 15のkV | |
| 巻き枠 | |
| テープを切りなさい | |
| MouseReel | |
| ブランド: | テキサス・インスツルメント |
| 作動の供給電圧: | 3.3 V |
| プロダクト: | RS-485トランシーバー |
| 製品タイプ: | RS-485インターフェイスIC |
| 操業停止: | 操業停止無し |
SN65HVD75DRの記述
SN65HVD75DRに産業適用を要求するための小型パッケージで、これらの装置強い3.3-V運転者および受信機がある。バス ピンは人間ボディ モデルおよびIECの接触の排出の指定に保護のハイ
レベルとのESDのでき事に強い。
単一3.3-V電源から作動するこれらの装置のそれぞれは差動運転者をおよび差動受信機を結合する。運転者の差動出力および受信機の差動入力は半二重（二線式バス）コミュニケーションのために適したバス港を形作るために内部的に接続される。これらの装置は装置を長いケーブルの操業上の分岐適用のために適したようにする広い共通モード電圧範囲を特色にする。これらの装置は– 40°Cから125°C.に特徴付けられる。
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SN65HVD75DRの集積回路の破片3Vの半二重トランシーバーIEC ESD 20Mbps
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