SN65HVD3082EDGKR ICの破片の集積回路のダイヤルの高速差動運転者LVDS
型式番号:SN65HVD3082EDGKR
原産地:元
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
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Shenzhen China
住所：
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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内 38 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
SN65HVD3082EDGKRの集積回路
ICの破片のダイヤルの高速差動運転者LVDSのパッケージVSSOP-8
SN65HVD3082EDGKR
| SMD/SMT | |
| VSSOP-8 | |
| SN65HVD3082E | |
| トランシーバー | |
| 200 kb/s | |
| 1人の運転者 | |
| 1台の受信機 | |
| 半二重 | |
| 5.5 V | |
| 4.5 V | |
| 900のuA | |
| - 40 C | |
| + 85 C | |
| 15のkV | |
| 巻き枠 | |
| テープを切りなさい | |
| MouseReel | |
| ブランド: | テキサス・インスツルメント |
| 作動の供給電圧: | 5ボルト |
| プロダクト: | RS-485トランシーバー |
| 製品タイプ: | RS-485インターフェイスIC |
SN65HVD3082EDGKRは特色になる
- ANSI TIA/EIA-644の標準の条件を満たすか、または超過しなさい
- 350のmVおよび100-Ω負荷の典型的な出力電圧の低電圧の差動シグナリング
- 500 ps （400 Mbps）の典型的な出力電圧上昇そして落下時間
- 1.7 nsの典型的な伝搬遅延の時間
- 単一3.3-V供給から作動させなさい
- 200のMHzで運転者1人あたりに典型的な電力損失25 MW
- 不具場合のHigh-ImpedanceのまたはVCC = 0の運転者
- バス ターミナルESD保護は8つのkVを超過する
- 低電圧TTL （LVTTL）の論理の入力レベル
- AM26LS31、MC3487およびµA9638と互換性があるPin
- 重複を要求するスペースおよび高信頼性の塗布のための冷たい倹約
SN65HVD3082EDGKRの記述
低電圧の差動シグナリング（LVDS）の電気特徴を実行するSN65HVD3082EDGKR、SN55LVDS31、SN65LVDS31、SN65LVDS3487およびSN65LVDS9638装置は差動ライン・ドライバである。この信号を送る技術は力を、切り替え速度を増加するために減らすために下げ、5-V差動標準的なレベルの出力電圧レベルを（TIA/EIA-422Bのような）
3.3-V供給の柵との操作を可能にする。可能にされたとき4人のcurrent-mode運転者のうちのどれかが100-Ω負荷に247
mVの最低の差動出力電圧大きさを渡す。
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SN65HVD3082EDGKR ICの破片の集積回路のダイヤルの高速差動運転者LVDS
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