SN74LV1T00DCKRの集積回路の破片低電圧CMOSの論理シリーズ
型式番号:SN74LV1T00DCKR
原産地:マルチオリジン
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
受渡し時間:1-7days
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Shenzhen China
住所：
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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内 38 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
製品名:SN74LV1T00DCKRの集積回路ICの破片
記述:SN74LV1T00DCKRは単一棒の二重投球（SPDT）のアナログの転換の塗布のために設計されている集積回路ICの破片である。それは低いオン抵抗および低い電力の消費を特色にする。
特徴:
•低いオン抵抗
•低い電力の消費
•単一棒の二重投球（SPDT）のアナログの転換の塗布のために設計されている
•入力は互換性があるTTL電圧である
•広い作動の電圧範囲:1.65 Vから5.50ボルト
•実用温度範囲:-40°Cへの+85°C
パッケージのタイプ:SOICのすくい
パッケージのサイズ:8 Pin
無鉛状態:無鉛
迎合的なRoHS:迎合的なRoHS
製造業者:テキサス・インスツルメント
プロダクト状態 | 活動的 | |
論理のタイプ | ||
回路の数 | 1 | |
入力の数 | 2 | |
特徴 | - | |
電圧-供給 | 1.6V | 5.5V | |
現在-静止（最高） | 10 µA | |
現在-高い出力低い | 8mA、8mA | |
入れられた論理のレベル-低速 | 0.58V | 0.8V | |
高い入れられた論理のレベル- | 0.94V | 2.1V | |
最高の伝搬遅延@ Vの最高のCL | 7ns @ 5V、30pF | |
実用温度 | -40°C | 125°C （TA） | |
タイプの取付け | ||
製造者装置パッケージ | ||
パッケージ/場合 | 5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353 | |
基礎プロダクト数 |
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SN74LV1T00DCKRの集積回路の破片低電圧CMOSの論理シリーズ
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