SN74LV1T02DCKRの集積回路の破片3.3Vの論理の1入力2出力
型式番号:SN74LV1T02DCKR
原産地:複数の起源
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
受渡し時間:1-7days
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確認済みサプライヤー
Shenzhen China
住所：
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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内 38 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
製品名:SN74LV1T02DCKRの集積回路ICの破片
製品の説明:
SN74LV1T02DCKRはデジタル回路の塗布のために設計されている集積回路ICの破片である。それは低電圧操作、低い電力の消費および速い論理の速度を特色にする。破片は低い電力の消費および改善されたノイズ耐性のための高度CMOSの技術と造られる。出力は開いた下水管であり、一緒に接続されるように多数装置がする。破片は一般的な論理、バス運転手、アナログ信号の切換えおよびレベルの転移を含む広い応用範囲のために適している。
特徴:
•低電圧操作（1.65Vへの3.6V）
•低い電力の消費
•速い論理は促進する（tPD = 4.5ns）
•高度CMOSの技術
•開いた下水管の出力
•広い応用範囲のために適した
•パッケージ:VSSOP-8 （1.4x1.6mm）
プロダクト状態 | 活動的 | |
論理のタイプ | ||
回路の数 | 1 | |
入力の数 | 2 | |
特徴 | - | |
電圧-供給 | 1.65V | 5.5V | |
現在-静止（最高） | 10 µA | |
現在-高い出力低い | 8mA、8mA | |
入れられた論理のレベル-低速 | 0.58V | 0.8V | |
高い入れられた論理のレベル- | 0.94V | 2.1V | |
最高の伝搬遅延@ Vの最高のCL | 7ns @ 5V、30pF | |
実用温度 | -40°C | 125°C （TA） | |
タイプの取付け | ||
製造者装置パッケージ | ||
パッケージ/場合 | 5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353 | |
基礎プロダクト数 |
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SN74LV1T02DCKRの集積回路の破片3.3Vの論理の1入力2出力
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