低い電力SRAMの記憶貯蔵の解決のためのCY62137FV30LL-55ZSXE ICの破片
モデル番号:CY62137FV30LL-55ZSXE
原産地:元
最低順序量:1
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供給の能力:999999
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1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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低い電力SRAMの記憶貯蔵の解決のためのCY 62137 FV 30LL-55ZSXE ICの破片
製品の説明:
CY62137FV30LL-55ZSXEはCypressの半導体によって設計されている集積回路の破片である。1.8V作動の電圧および3Vデータ保持の電圧を特色にするのはローパワーの、高性能静的なRAMメモリ（SRAM）である。それはローパワー待機モードの4Mbおよび8Mb密度で利用できる。133までのMHzの高速データ転送速度を提供することを設計し、非同期および同期バースト方式を支える。
プロダクト変数:
•パッケージ:TSOP-55
•記録密度:4Mb/8Mb
•作動の電圧:1.8 V
•データ保持の電圧:3ボルト
•最高のクロック周波数:133のMHz
•非同期/同期バースト方式
•ローパワー待機モード
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