高性能コンピューティングの適用のためのS29GL01GT10FHI010 ICの破片の記憶貯蔵
モデル番号:S29GL01GT10FHI010
原産地:元
最低順序量:1
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供給の能力:999999
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Shenzhen China
住所：
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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内 38 時間
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会社概要
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S29GL01GT10FHI 010 ICの破片
高性能コンピューティングの適用のための記憶貯蔵
プロダクト リスト:
S29GL01GT10FHI010集積回路ICの破片
製品の説明:
S29GL01GT10FHI010はSpansionによって設計され、製造された集積回路ICの破片である。それは8ビットの1,048,576ワードそれぞれとして組織される8メガビット（1メガバイト）の単一力供給のフラッシュ・メモリである。破片は1.8Vまで低い作動の電圧範囲、速いプログラムを含む特徴の範囲を提供し、唯一の10μAのスタンバイの流れが付いている時および低く活動的な流れを消す。破片はまたx8、x16およびx32操作を含む多数入力/出力の選択を、提供する。
プロダクト変数:
•記憶容量:8メガビット（1メガバイト）
•データ編成:8ビットの1,048,576ワードそれぞれ
•作動の電圧範囲:1.8Vまで
•プログラムおよび消去の時間:速い
•活動的な流れ:低速
•スタンバイの流れ:10μAだけ
•入力/出力の選択:x8、x16およびx32操作
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高性能コンピューティングの適用のためのS29GL01GT10FHI010 ICの破片の記憶貯蔵
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