FDD6685 Mosfetの管の高性能および信頼できる負荷スイッチ
型式番号:FDD6685
原産地:複数の起源
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
受渡し時間:1-7days
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確認済みサプライヤー
Shenzhen China
住所：
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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内 38 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
FDD6685 MOSFET パワー エレクトロニクス
特徴：
・低オン抵抗 RDS(on)
• 低いゲート電荷 Qg
• 高速スイッチング
• 鉛フリー、RoHS 準拠
• AEC-Q101 準拠
アプリケーション:
• 自動車用バッテリー管理システム
・DC/DCコンバータ
・ロードスイッチ
• パワーインバータ
• モーター制御
パラメーター：
• ドレイン・ソース間耐圧: 200V
• 最大ドレイン電流: 33A
• RDS(オン): 0.042Ω
• ゲートしきい値電圧: 1.2V
• 最大消費電力: 36W
• 動作温度範囲: -55°C ～ 175°C
製品の状態 | アクティブ | |
FETタイプ | ||
テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | ||
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | ||
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V、10V | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 20ミリオーム @ 11A、10V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 3V @ 250μA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 24nC @ 5V | |
Vgs (最大) | ±25V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1715 pF @ 15 V | |
FETの特徴 | - | |
消費電力(最大) | 52W(タ) | |
動作温度 | -55℃～175℃(TJ) | |
取付タイプ | ||
サプライヤーデバイスパッケージ | TO-252AA | |
パッケージ・ケース | ||
基本製品番号 |
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FDD6685 Mosfetの管の高性能および信頼できる負荷スイッチ
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