MOSFET チューブ FDV301N 高性能低電圧 MOSFET トランジスタ
型式番号:FDV301N
原産地:複数の起源
最低順序量:1
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供給の能力:999999
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Shenzhen China
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1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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FDV301N N チャネル MOSFET パワー エレクトロニクス
FDV301N は、高電力スイッチング アプリケーション向けに設計された N チャネル パワー MOSFET です。DC-DCコンバータ、AC-DCコンバータ、モータ制御回路などの高効率電力変換回路での使用に適しています。このデバイスの定格は 60 V および 18 A で、低いオン抵抗、低いゲート電荷、および高速スイッチング速度のための低い静電容量が特徴です。
特徴：
• NチャンネルMOSFET
• 定格60Vおよび18A
・低いオン抵抗
• ゲート電荷が低い
• 低静電容量
• 高速スイッチング速度
アプリケーション:
・DC-DCコンバータ
• AC-DCコンバータ
・モーター制御回路
• 高効率の電力変換
パッケージ: TO-220
製品の状態 | アクティブ | |
FETタイプ | ||
テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | ||
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | ||
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 2.7V、4.5V | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 4オーム @ 400mA、4.5V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 1.06V @ 250μA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 0.7 nC @ 4.5 V | |
Vgs (最大) | ±8V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 9.5 pF @ 10 V | |
FETの特徴 | - | |
消費電力(最大) | 350mW(Ta) | |
動作温度 | -55℃～150℃(TJ) | |
取付タイプ | ||
サプライヤーデバイスパッケージ | SOT-23-3 | |
パッケージ・ケース | ||
基本製品番号 |
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