抵抗TO-252のパッケージで高圧そして低いMosfetの管NTJS3151PT1G
型式番号:NTJS3151PT1G
原産地:複数の起源
最低順序量:1
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NTJS3151PT1G MOSFETのパワー エレクトロニクス
NTJS3151PT1GはDC/DCのコンバーター、モーター ドライブおよび他の力管理適用のような高性能力転換回路の使用のために設計されているN-channel MOSFET力の電子デバイスである。装置は0.7 pFの0.38オーム、低い逆の移動キャパシタンス、および11.5のA.の最高の連続的な下水管の流れの低いオン州の抵抗を特色にする。装置はまた175°Cの最高の接合部温度および20Vの最高のゲート源の電圧の優秀な熱性能を特色にする。装置は業界標準TO-252パッケージで利用できる。
主要特点:
•低いオン州の抵抗:0.38オーム
•低い逆の移動キャパシタンス:0.7 pF
•最高の連続的な下水管の流れ:11.5のA
•最高の接合部温度:175°C
•最高のゲート源の電圧:20V
•業界標準TO-252パッケージ
プロダクト状態 | 活動的 | |
FETのタイプ | ||
技術 | MOSFET （金属酸化物） | |
流出させなさいに源の電圧（Vdss） | ||
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C | ||
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） | 1.8V、4.5V | |
（最高） @ ID、VgsのRds | 60mOhm @ 3.3A、4.5V | |
Vgs （（最高） Th） @ ID | 1.2V @ 100µA | |
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs | 8.6 NC @ 4.5ボルト | |
Vgs （最高） | ±12V | |
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds | 850 pF @ 12ボルト | |
FETの特徴 | - | |
電力損失（最高） | 625mW （Ta） | |
実用温度 | -55°C | 150°C （TJ） | |
タイプの取付け | ||
製造者装置パッケージ | SC-88/SC70-6/SOT-363 | |
パッケージ/場合 | ||
基礎プロダクト数 |
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