MOSFET トランジスタ FDMS86350 高性能 N チャネル MOSFET
型式番号:NVMFS5C670NWFT1G
原産地:複数の起源
最低順序量:1
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供給の能力:999999
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Shenzhen China
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1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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製品詳細
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製品詳細
FDMS86350 - N チャネル車載 MOSFET
FDMS86350 は、車載アプリケーション向けに設計された N チャネル Power Trench® MOSFET です。高電流能力と低いオン抵抗を提供します。車載用DC-DCコンバータ、負荷スイッチ、突入電流リミッタなどのスイッチングアプリケーションで使用するために設計されています。
特徴：
- 低いオン抵抗
- 低いゲート電荷
- サーマルシャットダウン保護
- 自動車認定済み
- AEC-Q101 認定済み
- ESDおよびラッチアップ保護
仕様:
- 電圧: -20V
- ドレイン電流: 25A (TC=25°C)
- 消費電力: 83W
- RDS(オン): 0.7mΩ
- 動作温度: -55°C ～ +150°C
- 取り付けタイプ: 表面実装
製品の状態 | アクティブ | |
FETタイプ | ||
テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | ||
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | ||
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 7ミリオーム @ 11A、10V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 53μA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 14.4nC @ 10V | |
Vgs (最大) | ±20V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1035 pF @ 30 V | |
FETの特徴 | - | |
消費電力(最大) | 3.6W(Ta)、61W(Tc) | |
動作温度 | -55℃～175℃(TJ) | |
取付タイプ | ||
サプライヤーデバイスパッケージ | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | |
パッケージ・ケース | ||
基本製品番号 |
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