パワー エレクトロニクスの高圧現在の高い信頼性のIRF2804STRL7PP Mosfet
型式番号:IRF2804STRL7PP
原産地:複数の起源
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
受渡し時間:1-7days
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確認済みサプライヤー
Shenzhen China
住所：
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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内 38 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
InfineonからのIRF2804STRL7PP力MOSFETは高い現在の負荷を運転することができる高圧、超低いゲート充満MOSFETである。それは運動制御、電源および太陽インバーターのような適用のために設計されている。
特徴:
- 超低いゲート充満（Qg）
- 低い下水管源のオン州の抵抗（RDS （））
- 高いなだれエネルギー機能
- 高い現在の機能
- 高圧機能:100V
- TO-220ABのパッケージ
指定:
- 部品番号:IRF2804STRL7PP
- 下水管源の電圧:100V
- 流れ（ID）を流出させなさい:35A
- ゲート源の電圧（VGS）:±20V
- 最高の電力損失（PD）:106W
- 最高の下水管源のオン州の抵抗（RDS （））:0.068Ω
- 最高のゲートの境界の電圧（VGS （Th））:2.0V
- 最高使用可能温度:150°C
- タイプの取付け:穴を通して
プロダクト状態 | 活動的 | |
FETのタイプ | ||
技術 | MOSFET （金属酸化物） | |
流出させなさいに源の電圧（Vdss） | ||
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C | ||
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） | 10V | |
（最高） @ ID、VgsのRds | 1.6mOhm @ 160A、10V | |
Vgs （（最高） Th） @ ID | 4V @ 250µA | |
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs | 260 NC @ 10ボルト | |
Vgs （最高） | ±20V | |
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds | 6930 pF @ 25ボルト | |
FETの特徴 | - | |
電力損失（最高） | 330W （Tc） | |
実用温度 | -55°C | 175°C （TJ） | |
タイプの取付け | ||
製造者装置パッケージ | D2PAK （7鉛） | |
パッケージ/場合 | ||
基礎プロダクト数 |
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