パワー エレクトロニクスの MOSFET IRLMS1503TRPBF 高電圧大電流 N チャネル MOSFET
型式番号:IRLMS1503TRPBF
原産地:複数の起源
最低順序量:1
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IRLMS1503TRPBF MOSFET パワー エレクトロニクス
IRLMS1503TRPBF は、Infineon Technologies の MOSFET パワー エレクトロニクス デバイスです。これは、ローサイド スイッチング、汎用スイッチング、電源スイッチングなどの幅広いアプリケーションでの使用に適した N チャネル エンハンスメント モード MOSFET です。
特徴：
- NチャネルエンハンスメントモードMOSFET
- 低いオン抵抗
- 低いゲート電荷
- 低い入出力容量
- 低い閾値電圧
- 大電流能力
- 鉛フリーおよびRoHS準拠
- 鉛フリー (RoHS 準拠)
パッケージタイプ: TO-252 (DPAK)
VDS: 30V
ID:15A
RDS(ON): 0.045Ω @ VGS=10V
Qg: 8nC
VGS(th): 2V
シス：480pF
コス: 290pF
製品ステータス | アクティブ | |
FETタイプ | ||
テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | ||
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | ||
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V、10V | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 100ミリオーム @ 2.2A、10V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 1V @ 250μA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 9.6nC @ 10V | |
Vgs (最大) | ±20V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 210 pF @ 25 V | |
FETの特徴 | - | |
消費電力(最大) | 1.7W(Ta) | |
動作温度 | -55℃～150℃(TJ) | |
取付タイプ | ||
サプライヤーデバイスパッケージ | マイクロ6™(TSOP-6) | |
パッケージ・ケース | ||
基本製品番号 |
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