NVF2955T1G MOSFETのパワー エレクトロニクスSOT-223のパッケージの単一のP-Channel 60V 2.6A PWMの運動制御
型式番号:NVF2955T1G
原産地:原物
最低順序量:1
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供給の能力:999999
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製品詳細
会社概要
製品詳細
NVF2955T1G MOSFETのパワー エレクトロニクス
SOT-223パッケージの単一のP-Channel 60V 2.6A PWMの運動制御
FETのタイプ | ||
技術 | MOSFET （金属酸化物） | |
流出させなさいに源の電圧（Vdss） | ||
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C | ||
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） | 10V | |
（最高） @ ID、VgsのRds | 170mOhm @ 750mA、10V | |
Vgs （（最高） Th） @ ID | 4V @ 1mA | |
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs | 14.3のNC @ 10ボルト | |
Vgs （最高） | ±20V | |
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds | 492 pF @ 25ボルト | |
FETの特徴 | - | |
電力損失（最高） | 1W （Ta） | |
実用温度 | -55°C | 175°C （TJ） | |
タイプの取付け | ||
製造者装置パッケージ | SOT-223 （TO-261） | |
パッケージ/場合 |
特徴
•低いRDSのための設計（）
•なだれおよび代わりモードの高エネルギーに抗する
•AEC−Q101は− NVF2955を修飾した
•これらの装置はPb−Free、RoHSの迎合的な適用である
•電源
•PWMの運動制御
•コンバーター
•力管理
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NVF2955T1G MOSFETのパワー エレクトロニクスSOT-223のパッケージの単一のP-Channel 60V 2.6A PWMの運動制御
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