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テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | ||
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | ||
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V、10V | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 16ミリオーム @ 9A、10V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 3V @ 250μA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 12nC@10V | |
Vgs (最大) | ±20V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 720 pF @ 15 V | |
FETの特徴 | - | |
消費電力(最大) | 2.4W(Ta) | |
動作温度 | -55℃~150℃(TJ) | |
取付タイプ | ||
サプライヤーデバイスパッケージ | 6-MicroFET (2x2) | |
パッケージ・ケース |
製品リスト:
オン・セミコンダクター FDMA8878 MOSFET パワー エレクトロニクス
主な特徴:
- 0.05オームの低RDS(on)
- 低いゲート電荷
- Qgの向上と安全な操作領域
- 高いピーク電流能力
- 低いゲート電荷
- 高速スイッチング
- RoHS対応
- AEC-Q101 認定済み
アプリケーション:
- DC/DCコンバータ
- DC/AC インバーター
- バッテリー充電器
- サーバー/ノートブック電源
- 自動車用途
技術仕様:
- ドレイン・ソース間電圧 (VDS): 600V
- ゲート・ソース間電圧 (VGS): ±20V
- ドレイン電流 (ID): 58A
- RDS(オン): 0.05 オーム
- 最大消費電力 (PD): 115W
- 動作温度範囲: -55°C ~ 150°C