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Nチャンネルパワートレンチ
FETタイプ | ||
テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | ||
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | ||
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 6V、10V | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 36ミリオーム @ 32A、10V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 250μA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 28nC @ 10V | |
Vgs (最大) | ±20V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1250 pF @ 25 V | |
FETの特徴 | - | |
消費電力(最大) | 95W(Tc) | |
動作温度 | -55℃~175℃(TJ) | |
取付タイプ | ||
サプライヤーデバイスパッケージ | TO-252AA | |
パッケージ・ケース |
特徴
・rDS(ON) = 32mΩ (標準)、VGS = 10V、ID = 32A
• Qg(tot) = 18.5nC (標準値)、VGS = 10V
• 低ミラー料金
• 低QRRボディダイオード
• UIS 機能 (単一パルスおよび反復パルス)
• AEC Q101 に準拠
アプリケーション
• DC/DC コンバータおよびオフライン UPS
• 分散型電源アーキテクチャと VRM
• 24V および 48V システム用のプライマリ スイッチ
• 高電圧同期整流器
・直噴・ディーゼル噴射システム
• 42V 自動車負荷制御
• 電子バルブトレインシステム