NVTFS6H850NTAG MOSFET パワーエレクトロニクス シングル N チャネル 80 V 9.5 m 68 A 湿潤性側面
型式番号:NVTFS6H850NTAG
原産地:原物
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
受渡し時間:1-3幾日
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Shenzhen China
住所：
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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内 38 時間
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Nチャンネルパワートレンチ
PチャネルQFET® MOSFETNVTFS6H850NTAG MOSFET パワーエレクトロニクス シングル N チャネル 80 V 9.5 m 68 A 湿潤性側面
-60 V、 -12 あ、 135 mΩ
-60 V、 -12 あ、 135 mΩ
FETタイプ | ||
テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | ||
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | ||
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 9.5ミリオーム @ 10A、10V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 70μA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 19nC@10V | |
Vgs (最大) | ±20V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1140 pF @ 40 V | |
FETの特徴 | - | |
消費電力(最大) | 3.2W(Ta)、107W(Tc) | |
動作温度 | -55℃～175℃(TJ) | |
取付タイプ | ||
サプライヤーデバイスパッケージ | 8-WDFN (3.3x3.3) | |
パッケージ・ケース |
特徴
• 設置面積が小さく（3.3 x 3.3 mm）、コンパクトな設計を実現
• 低いRDS(on)で伝導損失を最小限に抑える
• ドライバ損失を最小限に抑える低静電容量
• NVTFS6H850NWF − ウェッタブルフランク製品
• AEC-Q101 認定および PPAP 対応
• これらのデバイスは鉛フリーであり、RoHS に準拠しています。
• バッテリー保護当社から購入する理由 >>> 迅速 / 安全 / 便利
• SKL は電子部品の株式管理者および貿易会社です。当社の支社には中国、香港、シンガポール、カナダが含まれます。グローバルメンバー向けにビジネス、サービス、リソース、情報を提供します。
• 商品は可能な限り最高の品質が保証され、世界中のお客様に迅速かつ正確にお届けします。
購入方法>>>
• 電子メールでお問い合わせいただき、輸送先をお知らせください。
• オンライン チャットでは、コミッショナーができるだけ早く応答します。
サービス >>>
• 世界中へのフォワーダー発送、DHL、TNT、UPS、FEDEXなどの購入者は発送の問題を心配する必要はありません
• できるだけ早く対応させていただきます。ただし、タイムゾーンの違いにより、メールが返信されるまでに最大 24 時間かかる場合があります。製品はいくつかのデバイスまたはソフトウェアでテストされており、品質に問題がないことを確認しています。
• 当社は世界中のバイヤーに迅速、便利、安全な輸送サービスを提供することに尽力しています。
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NVTFS6H850NTAG MOSFET パワーエレクトロニクス シングル N チャネル 80 V 9.5 m 68 A 湿潤性側面
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