IRFR3607TRPBF MOSFETのパワー エレクトロニクスN-Channelによって高められるボディ ダイオードのdV dtおよびディディミアムdtのパッケージTO-252
型式番号:IRFR3607TRPBF
原産地:原物
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
受渡し時間:1-3幾日
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Shenzhen China
住所：
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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内 38 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
IRFR3607TRPBF MOSFETのパワー エレクトロニクスN-Channelによって高められるボディ ダイオードのdV dtおよびディディミアムdtのパッケージTO-252
FETのタイプ | ||
技術 | MOSFET （金属酸化物） | |
流出させなさいに源の電圧（Vdss） | ||
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C | ||
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） | 10V | |
（最高） @ ID、VgsのRds | 9mOhm @ 46A、10V | |
Vgs （（最高） Th） @ ID | 4V @ 100µA | |
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs | 84 NC @ 10ボルト | |
Vgs （最高） | ±20V | |
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds | 3070 pF @ 50ボルト | |
FETの特徴 | - | |
電力損失（最高） | 140W （Tc） | |
実用温度 | -55°C | 175°C （TJ） | |
タイプの取付け | ||
製造者装置パッケージ | D朴 | |
パッケージ/場合 |
適用
か。SMPSの高性能の同期改正
か。無停電電源装置
か。高速力の切換え
か。懸命に転換された高周波回路の利点
か。改良されたゲート、なだれおよび動的dv/dtの険しさ
か。十分に特徴付けられたキャパシタンスおよびなだれSOA
か。高められたボディ ダイオードdV/dtおよびdI/dt
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