FDMC86102 MOSFETのパワー エレクトロニクスPower33のパッケージのN-Channelによって保護されるゲート100V 20A 24m
型式番号:FDMC86102
原産地:原物
最低順序量:1
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供給の能力:999999
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1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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製品詳細
会社概要
製品詳細
FDMC86102 MOSFETのパワー エレクトロニクスPower33のパッケージのN-Channelによって保護されるゲート100V 20A 24m
FETのタイプ | ||
技術 | MOSFET （金属酸化物） | |
流出させなさいに源の電圧（Vdss） | ||
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C | ||
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） | 6V、10V | |
（最高） @ ID、VgsのRds | 24mOhm @ 7A、10V | |
Vgs （（最高） Th） @ ID | 4V @ 250µA | |
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs | 18 NC @ 10ボルト | |
Vgs （最高） | ±20V | |
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds | 965 pF @ 50ボルト | |
FETの特徴 | - | |
電力損失（最高） | 2.3W （Ta）、41W （Tc） | |
実用温度 | -55°C | 150°C （TJ） | |
タイプの取付け | ||
製造者装置パッケージ | Power33 | |
パッケージ/場合 |
概説
N−ChannelこのMOSFETはonsemiの保護されたゲートの技術を組み込む高度POWERTRENCHプロセスを使用して作り出される。このプロセスはon−stateの抵抗のために今までのところでは優秀な転換の性能を維持するために最大限に活用された。
特徴
•保護されたゲートMOSFETの技術
•最高RDS （） = 24のmのVGS = 10ボルト、ID = 7A
•最高RDS （） = 38のmのVGS = 6ボルト、ID = 5 A
•mm最高控えめな− 1つの力33で
•テストされる100% UIL
•この装置はPb−FreeのHalide自由迎合的なRoHSである
適用
•DC−DCの転換
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FDMC86102 MOSFETのパワー エレクトロニクスPower33のパッケージのN-Channelによって保護されるゲート100V 20A 24m
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