FDS4685 MOSFETのパワー エレクトロニクス8-SOICは40V P-Channel力管理適用を包む
型式番号:FDS4685
原産地:原物
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
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Shenzhen China
住所：
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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内 38 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
FDS4685 MOSFETのパワー エレクトロニクス8-SOICは40V P-Channel力管理適用を包む
FETのタイプ | ||
技術 | MOSFET （金属酸化物） | |
流出させなさいに源の電圧（Vdss） | ||
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C | ||
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） | 4.5V、10V | |
（最高） @ ID、VgsのRds | 27mOhm @ 8.2A、10V | |
Vgs （（最高） Th） @ ID | 3V @ 250µA | |
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs | 27 NC @ 5ボルト | |
Vgs （最高） | ±20V | |
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds | 1872 pF @ 20ボルト | |
FETの特徴 | - | |
電力損失（最高） | 2.5W （Ta） | |
実用温度 | -55°C | 150°C （TJ） | |
タイプの取付け | ||
製造者装置パッケージ | 8-SOIC | |
パッケージ/場合 |
特徴
■– 8.2 A、– 40ボルトRDS （） = 0.027のΩ @ VGS = – 10ボルトRDS （） = 0.035のΩ @
VGS = – 4.5ボルト
■速い切り替え速度
■極端に低いRDSのための高性能の堀の技術（）
■高い発電および現在の処理の機能
適用
■力管理
■負荷スイッチ
■電池の保護
概説
このP-Channel MOSFETはオン・セミコンダクターの高度のPowerTrenchプロセスの険しいゲート版である。それはあった
ゲート ドライブ電圧評価（4.5V – 20V）の広い範囲を要求する力管理適用のために最大限に活用される。
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FDS4685 MOSFETのパワー エレクトロニクス8-SOICは40V P-Channel力管理適用を包む
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