FDD86102LZの高い発電MOSFETのパワー エレクトロニクス 産業適用および高圧自動車適用
型式番号:FDD86102LZ
原産地:原物
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
受渡し時間:1-3幾日
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確認済みサプライヤー
Shenzhen China
住所：
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 38 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
FDD86102LZの高い発電MOSFETのパワー エレクトロニクスの産業適用および高圧自動車適用
FETのタイプ | ||
技術 | MOSFET （金属酸化物） | |
流出させなさいに源の電圧（Vdss） | ||
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C | ||
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） | 4.5V、10V | |
（最高） @ ID、VgsのRds | 22.5mOhm @ 8A、10V | |
Vgs （（最高） Th） @ ID | 3V @ 250µA | |
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs | 26 NC @ 10ボルト | |
Vgs （最高） | ±20V | |
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds | 1540 pF @ 50ボルト | |
FETの特徴 | - | |
電力損失（最高） | 3.1W （Ta）、54W （Tc） | |
実用温度 | -55°C | 150°C （TJ） | |
タイプの取付け | ||
製造者装置パッケージ | TO-252AA | |
パッケージ/場合 |
プロダクト リスト:
オン・セミコンダクターFDD86102LZのN-Channel力MOSFET
オン・セミコンダクターFDD86102LZは高性能N-channel力MOSFETである。それは高性能の転換の適用のための低いオン抵抗を特色にする。
特徴:
•低いオン抵抗
•速い切り替え速度
•最も高いピークの現在の機能
•高圧抵抗の機能
•迎合的なRoHS
指定:
•下水管源の電圧:100ボルト
•ゲート源の電圧:±20 V
•現在を流出させなさい:75 A
•下水管源のオン抵抗:4.2 mΩ
•ゲート充満:45 NC
•電力損失:320 W
•実用温度範囲:-55°Cへの+150°C
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FDD86102LZの高い発電MOSFETのパワー エレクトロニクス 産業適用および高圧自動車適用
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