FQT5P10TF MOSFETのパワー エレクトロニクスPackageTO-261-4エネルギー強さ1.05 Ωのなだれはテストした
型式番号:FQT5P10TF
原産地:原物
最低順序量:1
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製品詳細
会社概要
製品詳細
FQT5P10TF MOSFETのパワー エレクトロニクスPackageTO-261-4エネルギー強さ1.05 Ωのなだれはテストした
とタイプ | ||
技術 | MOSFET （金属酸化物） | |
流出させなさいに源の電圧（Vdss） | ||
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C | ||
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） | 10V | |
（最高） @ ID、VgsのRds | 1.05Ohm @ 500mA、10V | |
Vgs （（最高） Th） @ ID | 4V @ 250µA | |
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs | 8.2 NC @ 10ボルト | |
Vgs （最高） | ±30V | |
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds | 250 pF @ 25ボルト | |
FETの特徴 | - | |
電力損失（最高） | 2W （Tc） | |
実用温度 | -55°C | 150°C （TJ） | |
タイプの取付け | ||
製造者装置パッケージ | SOT-223-4 | |
パッケージ/場合 |
特徴
•-1.0 A、-100ボルト、RDS （） =1.05 Ω （最高。） @VGS=-10 V、ID=-0.5 A
•低いゲート充満（タイプ。6.3 NC）
•低いCrss （タイプ。18 pF）
•100%のなだれはテストした
記述:
このp-channelの強化モード力mosfetはフェアチャイルドのsemiconductor®の専有平面の縞およびdmosの技術を使用して作り出される。この高度mosfetの技術は特にオン州の抵抗を減らし、優秀な転換の性能および高いなだれエネルギー強さを提供するために合った。これらの装置は転換されたモード電源、オーディオ・アンプ、dcの運動制御および可変的な転換力の適用のために適している
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