力の切換えおよび電圧調整のためのFDD86250 MOSFETのパワー エレクトロニクスTO-252-3のトランジスター
型式番号:FDD86250
原産地:原物
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
受渡し時間:1 - 3日
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Shenzhen China
住所：
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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内 38 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
力の切換えおよび電圧調整のためのFDD 86250 MOSFETのパワー エレクトロニクスTO-252-3のトランジスター
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FETのタイプ
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技術
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MOSFET （金属酸化物）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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6V、10V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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22mOhm @ 8A、10V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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4V @ 250µA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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33 NC @ 10ボルト
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Vgs （最高）
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±20V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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2110 pF @ 75ボルト
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FETの特徴
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電力損失（最高）
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3.1W （Ta）、132W （Tc）
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実用温度
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-55°C | 150°C （TJ）
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タイプの取付け
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製造者装置パッケージ
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TO-252AA
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パッケージ/場合
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FDD 86250は3ターミナル、力の転換の適用の広い範囲で作動するように設計されているN-Channel力の金属酸化物半導体のField-Effectのトランジスター（MOSFET）である。それはそれをコンパクトおよびスペース節約の電子システムの使用にとって理想的にさせるTO-252-3パッケージで収容される。このMOSFETは600ボルトの高い妨害電圧評価および0.072オームの低いオン州の抵抗を特色にする。
それにそれを強力な転換の適用のために適したようにする25Aおよび最高の78Aの脈拍の流れの連続的な下水管の現在の評価がある。FDD 86250はまた高められたシステム効率のための速い切り替え速度、また減らされたパワー消費量のための低いゲート充満を特色にする。その高度の設計は作動条件の広い範囲の信頼できる性能を保障する。
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力の切換えおよび電圧調整のためのFDD86250 MOSFETのパワー エレクトロニクスTO-252-3のトランジスター
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