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ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | ||
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | ||
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V、10V | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 8.5ミリオーム @ 14A、10V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 3V @ 250μA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 52nC@10V | |
Vgs (最大) | ±20V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 2620 pF @ 20 V | |
FETの特徴 | - | |
消費電力(最大) | 3.1W(Ta)、60W(Tc) | |
動作温度 | -55℃~150℃(TJ) | |
取付タイプ | ||
サプライヤーデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263) |
製品リスト:
オン・セミコンダクター FDB8447L MOSFET パワー エレクトロニクス
特徴:
• 超低 RDS(ON)
• 高効率と低EMI
• アバランチパフォーマンスの強化
• 超低ゲート電荷
• 高周波機能
• RoHS対応
アプリケーション:
• グラフィックカード電源
• 自動車用途
• 高周波DC-DCコンバータ
• 低ノイズアンプ
• 汎用電源
仕様:
• 定格電圧: 40V
• 連続ドレイン電流: 40A
• オン抵抗: 7mΩ
• 消費電力: 30W
• 動作温度範囲: -55°C ~ 150°C
• 取り付けタイプ: 表面実装