FDB8447L 高性能 N チャネルエンハンスメントモード MOSFET 40V 50A

型式番号:FDB8447L
原産地:原物
最低順序量:1
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供給の能力:999999
受渡し時間:1-3幾日
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Shenzhen China
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製品詳細 会社概要
製品詳細
FDB8447L高性能 N チャネルエンハンスメントモード MOSFET 40V 50A

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V、10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
8.5ミリオーム @ 14A、10V
Vgs(th) (最大) @ ID
3V @ 250μA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
52nC@10V
Vgs (最大)
±20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
2620 pF @ 20 V
FETの特徴
-
消費電力(最大)
3.1W(Ta)、60W(Tc)
動作温度
-55℃~150℃(TJ)
取付タイプ
サプライヤーデバイスパッケージ
D²PAK (TO-263)

製品リスト:

オン・セミコンダクター FDB8447L MOSFET パワー エレクトロニクス


特徴:

• 超低 RDS(ON)

• 高効率と低EMI

• アバランチパフォーマンスの強化

• 超低ゲート電荷

• 高周波機能

• RoHS対応


アプリケーション:

• グラフィックカード電源

• 自動車用途

• 高周波DC-DCコンバータ

• 低ノイズアンプ

• 汎用電源


仕様:

• 定格電圧: 40V

• 連続ドレイン電流: 40A

• オン抵抗: 7mΩ

• 消費電力: 30W

• 動作温度範囲: -55°C ~ 150°C

• 取り付けタイプ: 表面実装


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FDB8447L 高性能 N チャネルエンハンスメントモード MOSFET 40V 50A

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