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NVGS4141NT1G 6-TSOP MOSFET 高電力アプリケーション向けパワーエレクトロニクスパッケージ Nチャンネル 30 V 3.5A (Ta) 500mW (Ta)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | ||
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | ||
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V、10V | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 25ミリオーム @ 7A、10V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 3V @ 250μA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 12nC@10V | |
Vgs (最大) | ±20V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 560 pF @ 24 V | |
FETの特徴 | - | |
消費電力(最大) | 500mW(Ta) | |
動作温度 | -55℃~150℃(TJ) | |
取付タイプ | ||
サプライヤーデバイスパッケージ | 6-TSOP | |
パッケージ・ケース |
製品リスト:
製品名: ON Semiconductor NVGS4141NT1G MOSFET パワー エレクトロニクス
パッケージタイプ: 6-TSOP
メーカー: オン・セミコンダクター
製品タイプ: MOSFETパワーエレクトロニクス
パラメーター:
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss): 30 V
ゲート・ソース間電圧 (Vgs): ±20 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C: 4.1A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs: 0.91 オーム @ 4.1A、10V
入力容量 (Ciss) @ Vds: 800pF @ 10V
電力 - 最大: 8W
取り付けタイプ: 表面実装
動作温度: -55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース: 6-TSOP (0.173インチ、4.40mm幅)