FDN338P MOSFETのパワー エレクトロニクスの高性能の信頼できる電源の解決TO-236-3
型式番号:FDN338P
原産地:原物
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
受渡し時間:1 - 3日
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Shenzhen China
住所：
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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内 38 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
FDN338P MOSFETのパワー エレクトロニクスの高性能の信頼できる電源の解決TO-236-3
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FETのタイプ
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技術
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MOSFET （金属酸化物）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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2.5V、4.5V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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115mOhm @ 1.6A、4.5V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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1.5V @ 250µA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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6.2 NC @ 4.5ボルト
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Vgs （最高）
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±8V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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451 pF @ 10ボルト
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FETの特徴
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電力損失（最高）
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500mW （Ta）
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実用温度
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-55°C | 150°C （TJ）
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タイプの取付け
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製造者装置パッケージ
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SOT-23-3
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パッケージ/場合
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FDN 338PはTO-236-3パッケージが付いている強力なN-Channel強化モードMOSFETである。それは低電圧、高い現在の、高速転換の適用のために設計されている。それは低いオン州の抵抗、高周波操作および低いゲート ドライブ力を特色にする。100ボルトの下水管源の絶縁破壊電圧を使うと、このMOSFETは80ボルトまでの出力電圧を扱うことができる。FDN 338Pの高い現在の機能はそれが高性能および出力密度の適用を支えるようにする。MOSFETおよび高い入力インピーダンスの速い切り替え速度高速操作および低い転換の損失を可能にするため。TO-236-3パッケージはMOSFETにそれを高密度適用のために適したようにするスペース節約の足跡を提供する。FDN 338Pは自動車、産業の、および消費者適用の使用のために適している。
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FDN338P MOSFETのパワー エレクトロニクスの高性能の信頼できる電源の解決TO-236-3
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