NTA4153NT1G MOSFETのパワー エレクトロニクスSC-75の高い発電の切換え制御解決の自動車産業塗布
型式番号:NTA4153NT1G
原産地:原物
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
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1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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製品詳細
会社概要
製品詳細
NTA 4153 NT1G MOSFETのパワー エレクトロニクス
SC-75高い発電の切換え制御解決の自動車産業塗布
FETのタイプ | ||
技術 | MOSFET （金属酸化物） | |
流出させなさいに源の電圧（Vdss） | ||
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C | ||
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） | 1.5V、4.5V | |
（最高） @ ID、VgsのRds | 230mOhm @ 600mA、4.5V | |
Vgs （（最高） Th） @ ID | 1.1V @ 250µA | |
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs | 1.82のNC @ 4.5ボルト | |
Vgs （最高） | ±6V | |
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds | 110 pF @ 16ボルト | |
FETの特徴 | - | |
電力損失（最高） | 300mW （Tj） | |
実用温度 | -55°C | 150°C （TJ） | |
タイプの取付け | ||
製造者装置パッケージ | SC-75、SOT-416 | |
パッケージ/場合 |
NTA4153NT1GはSC-75パッケージ、転換の適用にとって理想的なN-channelの強化モード力MOSFETである。この装置は低いオン抵抗および速い切り替え速度があるように設計されそれを高周波および高速転換の適用のために適したようにする。それは30Vの最高の下水管源の絶縁破壊電圧および1.5Aの最高のオン州の下水管の流れを特色にし、有効な、信頼できる電力制御を可能にする。さらに、それにそれを低電圧のゲートの運転者と運転することもっと簡単にする-2.0Vの低いゲート源の境界の電圧がある。それはまたそれを表面の台紙の塗布のために適したようにする4つの鉛が付いている高い発電密度、低い熱抵抗および標準的なSC-75パッケージを特色にする。
NTA4153NT1Gはオン・セミコンダクターからの高性能力MOSFETである。それはSC-75パッケージ入って来、強力な適用の広い範囲の使用のために設計されている。このMOSFETは低い熱抵抗、低いゲート充満および低いオン抵抗を特色にする。それにまた最も高いピークの現在および低いゲート源キャパシタンスがある。さらに、それは速く転換および低い境界の電圧を提供する。これらの特徴はそれをDC-DCのコンバーター、サーバー、LEDの照明、自動車の使用にとって理想的に、および産業適用させる。
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NTA4153NT1G MOSFETのパワー エレクトロニクスSC-75の高い発電の切換え制御解決の自動車産業塗布
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