AO6601 パワーエレクトロニクスアプリケーション向け 60V N チャネルエンハンスメント MOSFET

型式番号:AO6601

原産地:複数の起源

最低順序量:1

支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram

供給の能力:99999

受渡し時間:1-7days

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Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

確認済みサプライヤー

Shenzhen China

住所： 1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen

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製品詳細会社概要

製品詳細

AO6601 30V N チャネル MOSFET パワーエレクトロニクス

特徴：

- 30V NチャンネルMOSFETによる電力効率の向上と大電流スイッチング
- オン抵抗が低く、電力損失が少ない
- ゲート電荷が低いため、スイッチング性能が向上します
- 信頼性を向上させるための内部 ESD 保護
- RoHS対応

仕様:

- ドレイン・ソース電圧: 30V
- ゲート・ソース電圧(最大): ±20V
- ドレイン電流: -20A
- 連続ドレイン電流(Tc=25℃): -18A
- ドレイン・ソース間オン抵抗(Vgs=10V): 0.0055Ω
- 入力容量(Vds=25V、f=1MHz): 135pF
- 動作温度: -55°C ～ +150°C
- 保管温度: -55°C ～ +150°C

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