IRLB3036PBF MOSFET パワーエレクトロニクス高品質低電圧スイッチングデバイス
型式番号:IRLB3036PBF
原産地:原物
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
受渡し時間:1-3幾日
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Shenzhen China
住所：
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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内 38 時間
製品詳細
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製品詳細
IRLB3036PBF MOSFET パワーエレクトロニクス高品質低電圧スイッチングデバイス
製品リスト:
IRLB3036PBF MOSFET
特徴：
-高度なプロセス技術
-低オン抵抗
-低いゲート電荷
-低しきい値電圧
-小さな足跡
-高速スイッチング
仕様:
-VDSS (最大): 600V
-RDS(on) (最大): 2.8mΩ
-ID（連続）：30A
-VGS (最大): ±20V
-Pd (最大): 44W
パッケージ：TO-220AB
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IRLB3036PBF MOSFET パワーエレクトロニクス高品質低電圧スイッチングデバイス
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