IRF7807ZTRPBF: パワー エレクトロニクス アプリケーション向けの高性能パワー MOSFET

型式番号:IRF7807ZTRPBF
原産地:Mult起源
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
受渡し時間:1-7days
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Shenzhen China
住所: 1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
サプライヤーの最後のログイン時間: 内 38 時間
製品詳細 会社概要
製品詳細

製品名: IRF7807ZTRPBF MOSFET


パラメーター:


-VDS(ドレイン・ソース間電圧):100V


-VGS (ゲート・ソース間電圧): 10V


-ID (連続ドレイン電流): 5.6A


-RDS(on) (ドレイン-ソース間オン抵抗): 0.0085 オーム


-極性: Nチャンネル


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China IRF7807ZTRPBF: パワー エレクトロニクス アプリケーション向けの高性能パワー MOSFET supplier

IRF7807ZTRPBF: パワー エレクトロニクス アプリケーション向けの高性能パワー MOSFET

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