IPD60R1K4C6 MOSFETのパワーエレクトロニクス-高い現在の低いオン抵抗の低いゲート充満

型式番号:IPD60R1K4C6

原産地:複数の起源

最低順序量:1

支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram

供給の能力:99999

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Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Shenzhen China

住所： 1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen

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製品詳細会社概要

製品詳細

プロダクトリスト:

IPD 60R1K4C6のN-ChannelはMOSFETの指定を高めた:

•電圧:60ボルト

•抵抗:1KΩ

•キャパシタンス:4C6

•現在:5A

•パッケージ:TO-252

•特徴:低いオン抵抗、低い入力キャパシタンスおよび速い切り替え速度。

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