SI2304DDS-T1-GE3 MOSFET パワーエレクトロニクスの高性能かつコスト効率の高いソリューション

型式番号:SI2304DDS-T1-GE3

原産地:原物

最低順序量:1

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供給の能力:999999

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製品詳細

SI2304DDS-T1-GE3 MOSFET パワーエレクトロニクスの高性能かつコスト効率の高いソリューション

製品説明：

Vishay Siliconix SI2304DDS-T1-GE3 は、さまざまなアプリケーションで優れた電力処理を提供する N チャネル MOSFET です。この MOSFET は、優れたスイッチング性能、低リーク電流、低ゲート電荷、低オン抵抗を実現するように設計されています。SI2304DDS-T1-GE3 は、高電力スイッチング、電力管理、およびその他の電力アプリケーションでの使用に適しています。

特徴：
• 4.8V ゲートドライブ
・低いオン抵抗
• ゲート電荷が低い
• 低漏れ電流
• RoHS対応
• 無鉛の

仕様:
• ドレイン・ソース間電圧 (VDS): 30V
• ドレイン・ソース間オン状態抵抗 (RDS(on)): 0.0095 オーム
• 連続ドレイン電流 (ID): 12A
• パルスドレイン電流 (IDM): 25A
• ゲート・ソース間電圧 (VGS): -5V ～ +4.8V
• 消費電力 (Pd): 3W

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