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Gate-Emitter Leakage Current ::100 nA

Product Category ::IGBT Transistors

Mounting Style ::Through Hole

Continuous Collector Current at 25 C ::40 A

Pd - Power Dissipation ::180 W

Collector- Emitter Voltage VCEO Max ::1.2 kV

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THS1206IDA THS1207IDA 74HCT688N

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