PDTC143ET-QR
カテゴリー:離散半導体製品
トランジスタ
双極性 (BJT)
単一のバイアスバイアスバイアストランジスタ
現在-コレクター（（最高） IC）:100 mA
製品の状況:アクティブ
トランジスター タイプ:前偏りのあるNPN -
頻度-転移:230のMHz
マウントタイプ:表面マウント
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正会員
Shenzhen Guangdong China
住所：
609第4018のbaoan道、Xixiangの通り、Baoan地区、シンセン、広東省
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 2 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
バイアス式バイポラトランジスタ (BJT) NPN - バイアス式50 V 100 mA 230 MHz 250 mW 表面マウント
TO-236AB
PDTC143ET-QR
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