M29W160EB70N6E ICフラッシュ 16MBIT PARALLEL 48TSOP マイクロンテクノロジー株式会社

モデル番号:M29W160EB70N6E
最低注文量:1
支払条件:T/T
供給能力:ストック
配達時間:3~5 営業日
パッケージの詳細:アンチステティックバッグと紙箱
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確認済みサプライヤー
Shenzhen China
住所: 第2520の第25床、ブロックAのアジア新しいGuoliの建物、Huaqiangの北の通り、シンセン、中国
サプライヤーの最後のログイン時間: 内 26 時間
製品詳細 会社概要
製品詳細

製品詳細


概要

M29W160Eは16 Mbit (2Mb x8または1Mb x16) の非揮発性メモリで,読み取り,削除,再プログラムすることができます.これらの操作は単一の低電圧 (2,7 から 3.6V) 供給を使用して実行できます.パワーアップするとメモリはROMやEPROMと同じ方法で読み取れる読み込みモードにデフォルトされます..

特徴 概要

■ 供給電圧
プログラム,消去,読み取りのためにVCC=2.7Vから3.6V
■ アクセス タイム: 70,90 ns
■ プログラミング 時間
バイト/Word 平均10μs
■ 35 メモリーブロック
1 ブートブロック (上部または下部位置)
2つのパラメータと32つのメインブロック
■ プログラム/消去制御器
組み込みバイト/ワードプログラムアルゴリズム
■ 消去,停止,再開モード
削除中に別のブロックを読み,プログラムする
■ UNLOCK BYPASS プログラム コマンド
生産/バッチプログラミングの速さ
■一時的なブロックの保護なしのモード
■ COMMON FLASH インターフェイス
64 ビット セキュリティコード
■ 低電力消費
スタンバイと自動スタンバイ
■ ブロックあたり100,000のプログラム/消去サイクル
■ 電子署名
製造者コード: 0020h
上部装置コード M29W160ET: 22C4h
底部装置コード M29W160EB: 2249h

仕様

属性属性値
製造者マイクロン・テクノロジー株式会社
製品カテゴリーメモリIC
シリーズ-
パッケージトレイ 代替パッケージ
パッケージケース48-TFSOP (0.724", 18.40mm 幅)
動作温度-40°C ~ 85°C (TA)
インターフェースパラレル
電圧供給2.7V~3.6V
供給者 デバイス パッケージ48-TSOP
記憶容量16M (2M x 8, 1M x 16)
メモリタイプFLASH - NOR
スピード70n
フォーマットメモリフラッシュ
Mfrマイクロン・テクノロジー株式会社
パッケージトレー
商品の状況時代遅れ
メモリタイプ不揮発性
メモリ形式フラッシュ
テクノロジーFLASH - NOR
メモリサイズ16Mb (2M x 8 1M x 16)
メモリインターフェースパラレル
書き込みサイクル タイム ワード ページ70n
アクセス時間70 ns
電圧供給2.7V~3.6V
マウントタイプ表面マウント
パッケージケース48-TFSOP (0.724" 18.40mm 幅)
基本製品番号M29W160

記述

FLASH - NOR メモリ IC 16Mb (2M x 8, 1M x 16) パラレル 70ns 48-TSOP
NOR フラッシュ パラレル 3V/3.3V 16M ビット 2M x 8/1M x 16 70ns 48ピンTSOPトレイ
China M29W160EB70N6E ICフラッシュ 16MBIT PARALLEL 48TSOP マイクロンテクノロジー株式会社 supplier

M29W160EB70N6E ICフラッシュ 16MBIT PARALLEL 48TSOP マイクロンテクノロジー株式会社

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